65nm节点工艺技术竞争格局为何大变?
2006年初,英特尔在其首款90纳米芯片Prescott出货两年后,又开始交付其65纳米PentiumDPresler处理器。截至2006年11月,英特尔基于65纳米工艺的处理器出货量已超过4,000万颗。
在正常情况下,AMD、IBM和德州仪器(TI)等其它主流集成器件制造商应该在英特尔发布65纳米处理器之后相继发表自己的65纳米微处理器。很快地,主要的无晶圆厂半导体供应商也会随之推出自己的65纳米产品,典型的有Altera(由台积电代工)或Xilinx(由台联电代工)的FPGA。
少数新进者,如AMD和Xilinx等。SemiconductorInsights公司对AMD的65纳米处理器和Xilinx的Virtex-5(采用台联电65纳米工艺)进行了早期取样分析。此外,IBM表示,其65纳米旗舰处理器Power6则要到2007年中期才投入量产。
毫无疑问,65纳米工艺的各种挑战是进展放慢的部分原因所在。不过,65纳米级图形特征造成的光刻问题似乎已得到解决。现在真正的挑战是如何在不超出功率预算的前提下将性能提高30%。
在90纳米及其以后的工艺技术中,大多数制造商都只是逐渐降低栅极长度(GateLength)(英特尔的Prescott采用65纳米,而至Presler则降到了40纳米),但没有减小栅氧层厚度(gateoxidethickness)(典型值在1.2纳米左右)。栅氧层厚度的任何一点下降都会导致极大的栅极漏电流。在缺乏合适的高k栅极电介质材料时,唯一可能的办法是增加栅氧层的氮化量―从已发表的结果来看,似乎只提供了一些边际效益。

图1:英特尔65纳米双核处理器的扫描电镜(SEM)截面图
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